SJ 797-1974
基本信息
标准号： SJ 797-1974
中文名称：3DG161型NPN硅平面高频小功率高反压三极管
标准类别：电子行业标准(SJ)
英文名称：Detail specification for silicon NPN epitaxial planar high frequency low power high reverse voltage transistors Type 3DG161
标准状态：现行
发布日期：1974-10-01
实施日期：1974-10-01
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标准分类号
中标分类号：电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
关联标准
出版信息
出版社：中国电子工业出版社
页数：8页
标准价格：8.0
出版日期：1974-10-01
相关单位信息
发布部门：中华人民共和国第四机械工业部
标准简介
本标准适用于3DG161硅NPN平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。
该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定。
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标准内容
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG161型NPN硅平面高频
小功率高反压三极管
SJ797-74
1、本标准适用于3DG161硅NPN平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三级管总技术条件SJ614-73的规定。
8、外型结构和尺寸应符合SJ139一70的B一1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155—65~SJ170～65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定：hFE
30～60
50~110
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，的规范值。
a）反向电流，
b）饱和压降；
c）电流放大系数
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：90~160
应符合参数规范表
a）高温储存试验条件：按Tim为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ797-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值、电压VcB为30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍；b）hFE的相对变化，不得超过±35%，c）VBES的相对变化，不得超过+20%d）VcEs的变化不得超过0.1V+VcEs初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区（8）生产单位应在产品月录中提供下列特性曲线：a)IB-VBE,
b)IcVcE,
C)BVEO、BVCBO-TA,
d)hFE-T;
e)hFE-IC。
3DG161A
8DG161B
8DG161C
8DG161D
3DG161E
8DG161F
8DG161G
8DG161H
8DG1611
8DG161J
8DG161K
3DG161L
8DG161M
8DG161N
试验类别
SJ797-74
8DG161型NPN硅平
IVcB-30VVCE-30V
Ic-10mA
IB-1mA
面离反压三极管规范表
≥100
≥140
≥180
≥220
≥260
≥300
≥100
≥140
≥180
≥220
≥260
Ic-10mA/VcE-10V
TIc-100
IB-1mA/Ic-2mA
SJ797-74
≥140
≥300
≥100
≥180
≥220
≥260此内容来自唯久标准下载网
≥300
Ic-500
Ic-100
IE-100
交流参数
VcB-10V
IE-2mA
f-30MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG161型NPN硅平面高频
小功蜜高反压三极算
SJ797-74
（补充部份）
1、本标准适用F3DG161硅NPN平面型商反压小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281—76的规定。
8，外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ139一70的B-1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155—65～SJ170~65的规定。（2）h不分档。
（3）环境试验后，按顺序测量下列参数a）、b)、d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过土20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按Ti为175℃下进行。h）额定功率试验条件：功率为Pcm值、电压VcB为30V，（，）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）In不得大于规范值的两倍；
b）b的相对变化，不得超过士40%；c）VB的相对变化，不得超过+30%；一九七七年三月实施
3DG161A
3DG161B
3DG161C
3DG161D
3DG161E
3DG161F
3DG161G
3DG161H
3DG161I
3DG161J
3DG161K
3DG161L
3DG161M
3DG161N
试验类别
极限参数
SJ797-74
YcB-30VVcE-30V
3DG161型NPN硅平
Ie=10mA
IB=ImA
面高反压三极管规范表
≥260
lc=100μA
SJ797-74
≥300
交流参数
YcB10V
Ig=2mA
f=30MHz
SJ797-74
d）Vczs的变化不得超过0.2V+Vcs初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性出线：a) In-Ves
b)Io-Voz,
c)BVonO、BVcBO-TAr
d) hrE-Ta;
e)hp--Io.
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3DG161型NPN硅平面高频
小功率高反压三极管
SJ797-74
1、本标准适用于3DG161硅NPN平面型高频小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三级管总技术条件SJ614-73的规定。
8、外型结构和尺寸应符合SJ139一70的B一1型。4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准SJ155—65~SJ170～65的规定。（2）hFE不分档。如需分档，应符合如下规定：hFE
30～60
50~110
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，的规范值。
a）反向电流，
b）饱和压降；
c）电流放大系数
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：90~160
应符合参数规范表
a）高温储存试验条件：按Tim为175°C下进行。一九七四年十月一日实施
SJ797-74
b）额定功率试验条件：功率为PcM值、电压VcB为30V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）IcBo不得大于规范值的两倍；b）hFE的相对变化，不得超过±35%，c）VBES的相对变化，不得超过+20%d）VcEs的变化不得超过0.1V+VcEs初·20%。5、说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区（8）生产单位应在产品月录中提供下列特性曲线：a)IB-VBE,
b)IcVcE,
C)BVEO、BVCBO-TA,
d)hFE-T;
e)hFE-IC。
3DG161A
8DG161B
8DG161C
8DG161D
3DG161E
8DG161F
8DG161G
8DG161H
8DG1611
8DG161J
8DG161K
3DG161L
8DG161M
8DG161N
试验类别
SJ797-74
8DG161型NPN硅平
IVcB-30VVCE-30V
Ic-10mA
IB-1mA
面离反压三极管规范表
≥100
≥140
≥180
≥220
≥260
≥300
≥100
≥140
≥180
≥220
≥260
Ic-10mA/VcE-10V
TIc-100
IB-1mA/Ic-2mA
SJ797-74
≥140
≥300
≥100
≥180
≥220
≥260此内容来自唯久标准下载网
≥300
Ic-500
Ic-100
IE-100
交流参数
VcB-10V
IE-2mA
f-30MHz
中华人民共和国第四机械工业部部标准
3DG161型NPN硅平面高频
小功蜜高反压三极算
SJ797-74
（补充部份）
1、本标准适用F3DG161硅NPN平面型商反压小功率高反压半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。2、该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ281—76的规定。
8，外型结构和尺寸应符合半导体三极管外形尺寸SJ139一70的B-1型。
4、技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合部颁标准半导体三极管测试方法SJ155—65～SJ170~65的规定。（2）h不分档。
（3）环境试验后，按顺序测量下列参数a）、b)、d）三项应符合参数规范表的规范值，h的相对变化不得超过土20%。a）反向电流；
b）饱和压降；
c）电流放大系数
d）反向击穿电压。
（4）高温储存和额定功率试验条件：a）高温储存试验条件：按Ti为175℃下进行。h）额定功率试验条件：功率为Pcm值、电压VcB为30V，（，）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a）In不得大于规范值的两倍；
b）b的相对变化，不得超过士40%；c）VB的相对变化，不得超过+30%；一九七七年三月实施
3DG161A
3DG161B
3DG161C
3DG161D
3DG161E
3DG161F
3DG161G
3DG161H
3DG161I
3DG161J
3DG161K
3DG161L
3DG161M
3DG161N
试验类别
极限参数
SJ797-74
YcB-30VVcE-30V
3DG161型NPN硅平
Ie=10mA
IB=ImA
面高反压三极管规范表
≥260
lc=100μA
SJ797-74
≥300
交流参数
YcB10V
Ig=2mA
f=30MHz
SJ797-74
d）Vczs的变化不得超过0.2V+Vcs初·20%。5、说明
（1）本标准参数表中的电参数，均以25℃为准。（2）生产单位应在产品目录中给出每档对应的安全工作区。（8）生产单位应在产品目录中提供下列特性出线：a) In-Ves
b)Io-Voz,
c)BVonO、BVcBO-TAr
d) hrE-Ta;
e)hp--Io.
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。