SJ 50597/33-1995
基本信息
标准号： SJ 50597/33-1995
中文名称：半导体集成电路 ＪＢ２００型ＣＭＯＳ双路单刀单掷模拟开关详细规范
标准类别：电子行业标准(SJ)
英文名称：Semiconductor integrated circuits-Detail specification for Type JB200 CMOS dual SPST analog switch
标准状态：现行
发布日期：1995-05-25
实施日期：1995-12-01
下载格式：pdf zip
标准分类号
中标分类号：仪器、仪表>>仪器、仪表综合>>N01技术管理
关联标准
出版信息
页数：27页
标准价格：20.0
相关单位信息
标准简介
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标准内容
中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ50597/33-1995
半导体集成电路
JB200型CMOS双路单刀单掷模拟
开关详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specification of type JB 200 CMOSdualSPSTanalogswitch
1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路
JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specification of type JB200 CMOSdual SPST analog switch
主题内容
SJ50597/331995
本规范规定了半导体集成电路JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、功率和热特性分类。1.3.1器件编号
器件编号应按GJB597<微电路总规范》第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
1.3.1.2器件等级免费标准下载网－唯久标准网vv99
器件名称
CMOS双路单刀单挪模拟开关
器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的B级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB7092(半导体集成电路外形尺寸>的规定。封装形式如下：
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布外形代号
D14S3(陶瓷双列封装)
J14S3(陶瓷焙封双列封装）
T10B4(带支柱、金属园形封装）1995-12-01实施
1.3.1.4功率和热特性
功率和热特性如下：
装形式
绝对最大额定值
绝对最大额定值如下：
V,至V.电源电压（V.~V.）
数字输入电压
模拟输入电压
最大电流
引线耐焊接温度(10s）
推荐工作条件
SJ50597/33-1995
最大允许功耗(mW)
TA=125C
S或D端
其它端
推荐工作条件如下：
正电源电压：V.=15V
负电源电压：V_=-15V
输入高电平电压：V≥2.4V
输入低电平电压：Vu≤0.8V
工作环境温度：-55≤T≤125℃
引用文件
GB 3431.1—86
GB3431.2—86
GB4590—84
GB/T7092—93
GJB548—88
GJB597—88
GJB1649—93
3要求
半导体集成电路文字符号
半导体集成电路文字符号
最大值(t/w)
电参数文字符号
引出端功能符号
半导体集成电路机械和气候试验方法半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
详细要求
SJ50597/33-1995
各项要求应按GJB597和本规范的规定。本规范规定和B级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级。
设计结构和外形尺寸
设计结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定3.2.1引出端排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。D14S3、J14S3引出端排列：
T10B4引出端排列：
功能表
引出端排列
功能表如下：
3.2.3功能框图
输入电压
2.4V6V,≤15V
0≤V≤0.8V
功能框图应符合图2的规定。
3.2.4电路图
SJ 50597/331995
及驱动
2功能框图（号）
开关状态
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构，各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。3.2.5封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合表1的规定。
键合应按GJB597第3.7.1.1条的规定。特
输入端关断漏电流
输出端关断漏电流
开关导通漏电流
输入低电平电流
输入高电平电流
正电源电流
负电源电流
控制端输入电容
开关输入电容
开关输出电容
开关导通时间
开关关断时间
关断隔离度2)
通道串扰3）
Iyotom
SJ50597/33-1995
表1电特性
(若无其他规定，V.=15V.V.=-15V)V=0.8V
V(s)=10v
D)=-1mA
Vrs)=-10V
[u(D)=ImA
Vus)=14V
VD)=~14V
Vus)=-14V
VD)=14V
VDy\14V
Vus)=-14V
VkD)-14V
Vns)=14V
VKD)=Vs=14V
VrD) = Vs
Vi=15V
V=0V或
Vn=0V或
T=25,-55
TA=12SC
T=25,-55
TA=125C
TA=25t
T=125,-55
Ta=25t
TA=125,-55
Ta=25t
T^=125,-55
Ta=25t
Ta=125C,-55
Ta=25C
T=125C,~55
TA=25t
T=125-55
Ta=25C
TA=125C,55C
TA=25C
TA-125C.5ST
TA-25℃125
TA--55C
T=25,125
TA--55C
T=25,GND=0V,V=0V,=1MHz
T^=25C,CND=0V,VH=5V,f=1MH
Ta=25C.CND=0V,Vm=5V,f=1MH
C=100pF
RL=1KO
C,=100pF
Rt=1kn
T=25℃.-55℃
TA=125C
TA=25C,
TA=125C
Ta=25,V=1V,f=200kHz
Ta-25cV-1V,f=200kHz
注：1)仅在初始鉴定及当工艺和设计发生变化有可能影响输入电容时进行测试。大
SJ50597/33-1995
2)仅在初始鉴定及当工艺和设计发生变化时进行测试。电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。电试验要求
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最终电测试
A组试验要求
C组终点电测试
C组检验增加的电试验分组
D组终点电测试
A2、A3、A42)、A9
Al.A2.A3.A42\.A9.A10.A1l
A1和表4的△极限
不要求
(见表3)
B,级器件
A2、A3、A42\、A9
A1.A2.A3.A42\A9
A1和表4的△极限
注：1)该分组要求PDA计算(见本规范4.2条)。2)该分组仅在初始鉴定和当工艺或设计改变时进行。对Cr、Cis和Cos进行测量时，在被测量的输入端和地之间连接电容电桥，f=1MHz。6
SJ 50597/33—1995
被测螨
剩试号
SJ 50597/331995
被测鞘
测试母
SJ 50597/33-1995
被测端
剩试号
eaerpy
SJ50597/33-1995
被测端
测试母
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SJ50597/33-1995
半导体集成电路
JB200型CMOS双路单刀单掷模拟
开关详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specification of type JB 200 CMOSdualSPSTanalogswitch
1995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路
JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关详细规范
Semiconductor integrated circuitsDetail specification of type JB200 CMOSdual SPST analog switch
主题内容
SJ50597/331995
本规范规定了半导体集成电路JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、功率和热特性分类。1.3.1器件编号
器件编号应按GJB597<微电路总规范》第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
1.3.1.2器件等级免费标准下载网－唯久标准网vv99
器件名称
CMOS双路单刀单挪模拟开关
器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的B级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB7092(半导体集成电路外形尺寸>的规定。封装形式如下：
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布外形代号
D14S3(陶瓷双列封装)
J14S3(陶瓷焙封双列封装）
T10B4(带支柱、金属园形封装）1995-12-01实施
1.3.1.4功率和热特性
功率和热特性如下：
装形式
绝对最大额定值
绝对最大额定值如下：
V,至V.电源电压（V.~V.）
数字输入电压
模拟输入电压
最大电流
引线耐焊接温度(10s）
推荐工作条件
SJ50597/33-1995
最大允许功耗(mW)
TA=125C
S或D端
其它端
推荐工作条件如下：
正电源电压：V.=15V
负电源电压：V_=-15V
输入高电平电压：V≥2.4V
输入低电平电压：Vu≤0.8V
工作环境温度：-55≤T≤125℃
引用文件
GB 3431.1—86
GB3431.2—86
GB4590—84
GB/T7092—93
GJB548—88
GJB597—88
GJB1649—93
3要求
半导体集成电路文字符号
半导体集成电路文字符号
最大值(t/w)
电参数文字符号
引出端功能符号
半导体集成电路机械和气候试验方法半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
详细要求
SJ50597/33-1995
各项要求应按GJB597和本规范的规定。本规范规定和B级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某些项目和要求不同于B级。
设计结构和外形尺寸
设计结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定3.2.1引出端排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。D14S3、J14S3引出端排列：
T10B4引出端排列：
功能表
引出端排列
功能表如下：
3.2.3功能框图
输入电压
2.4V6V,≤15V
0≤V≤0.8V
功能框图应符合图2的规定。
3.2.4电路图
SJ 50597/331995
及驱动
2功能框图（号）
开关状态
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构，各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。3.2.5封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合表1的规定。
键合应按GJB597第3.7.1.1条的规定。特
输入端关断漏电流
输出端关断漏电流
开关导通漏电流
输入低电平电流
输入高电平电流
正电源电流
负电源电流
控制端输入电容
开关输入电容
开关输出电容
开关导通时间
开关关断时间
关断隔离度2)
通道串扰3）
Iyotom
SJ50597/33-1995
表1电特性
(若无其他规定，V.=15V.V.=-15V)V=0.8V
V(s)=10v
D)=-1mA
Vrs)=-10V
[u(D)=ImA
Vus)=14V
VD)=~14V
Vus)=-14V
VD)=14V
VDy\14V
Vus)=-14V
VkD)-14V
Vns)=14V
VKD)=Vs=14V
VrD) = Vs
Vi=15V
V=0V或
Vn=0V或
T=25,-55
TA=12SC
T=25,-55
TA=125C
TA=25t
T=125,-55
Ta=25t
TA=125,-55
Ta=25t
T^=125,-55
Ta=25t
Ta=125C,-55
Ta=25C
T=125C,~55
TA=25t
T=125-55
Ta=25C
TA=125C,55C
TA=25C
TA-125C.5ST
TA-25℃125
TA--55C
T=25,125
TA--55C
T=25,GND=0V,V=0V,=1MHz
T^=25C,CND=0V,VH=5V,f=1MH
Ta=25C.CND=0V,Vm=5V,f=1MH
C=100pF
RL=1KO
C,=100pF
Rt=1kn
T=25℃.-55℃
TA=125C
TA=25C,
TA=125C
Ta=25,V=1V,f=200kHz
Ta-25cV-1V,f=200kHz
注：1)仅在初始鉴定及当工艺和设计发生变化有可能影响输入电容时进行测试。大
SJ50597/33-1995
2)仅在初始鉴定及当工艺和设计发生变化时进行测试。电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。电试验要求
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最终电测试
A组试验要求
C组终点电测试
C组检验增加的电试验分组
D组终点电测试
A2、A3、A42)、A9
Al.A2.A3.A42\.A9.A10.A1l
A1和表4的△极限
不要求
(见表3)
B,级器件
A2、A3、A42\、A9
A1.A2.A3.A42\A9
A1和表4的△极限
注：1)该分组要求PDA计算(见本规范4.2条)。2)该分组仅在初始鉴定和当工艺或设计改变时进行。对Cr、Cis和Cos进行测量时，在被测量的输入端和地之间连接电容电桥，f=1MHz。6
SJ 50597/33—1995
被测螨
剩试号
SJ 50597/331995
被测鞘
测试母
SJ 50597/33-1995
被测端
剩试号
eaerpy
SJ50597/33-1995
被测端
测试母
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