首页 > 电子行业标准(SJ) > 3DD100型NPN低频高反压大功率三极管
SJ 934-75

基本信息

标准号: SJ 934-75

中文名称:3DD100型NPN低频高反压大功率三极管

标准类别:电子行业标准(SJ)

英文名称:Detail specification for silicon NPN low frequency high power high reversse voltage transistors,Type 3DD100

标准状态:现行

发布日期:1976-06-01

实施日期:1976-06-01

下载格式:pdf zip

相关标签: 低频 大功率 三极管

标准分类号

中标分类号:能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理

关联标准

出版信息

页数:4页

标准价格:8.0

相关单位信息

标准简介

标准图片预览






标准内容

中华人民共和国第四机械工业部部
3DA100型NPN硅高频
大功率三极管
SJ1416—78
1,本标准适用于3DA100型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。2,三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ61473《半导体三极管总技术条件》的规定。
3.三极管的外形尺寸应符合SJ139-78《半导体三极管外形尺寸》中的F-2型的规定。
4.技术要求和试验方法:
(1)三极管的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ300~314—72《半导体三极管测试方法》的规定。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合参数规范表的规定。(3)高温贮存试验温度为175°C。试验后测量IcE0,VcES,Hp三项参数。IcEo不超过参数规范值的2倍,VcEs不超过参数规范值的1,2倍,H:相对交变化不超过35%,则为合格。
(4)额定功率试验时,壳温Tc=70±5*C,所加电压Vc=20V。试验后考核标准同高温贮存试验。
5各生产厂应在产品说明书、手册或样本中,提供下列资料供使用方参考:(1)Ic——Vc曲线:
(2)Is——V曲线:
(3)HFE—Ic曲线:
(4)fr——Ic曲线
(5)Pc-——-Tc曲线:
(6)HE,VcEO,IcEO-—Ta曲线
(7)Po,Kp,n-Pi曲线;
(8)PoKp,n。-—Vc曲线;
中华人民共和国第园机械工业部发布
共3页第2页
:(9)直流安全工作区;
SJ1416-78
(10)典型运用状态和典型阻抗值。1979年7月1日
共3页第2页
(9)直流安全工作区;
SJ1416—78
(10)典型运用状态和典型阻抗值。3DA100型NPN硅高频大
3DA100A
3DA100Bvv99.net
测试条件
试验类
A02=24
SJ1416—78
功出三圾综参数坝费卖
s'tsaa
共\3页第3页
功率三极管参数规范表
SJ 1416—78
共\3页第3页
≤100
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。