高三物理经电压U加速的电子(加速前电子静止),从电子枪口T射出,其初速度沿水平方向.若要求电子能击中斜下方的M点,且与水平方向夹角为A.第一次用磁感强度为B的匀强磁场覆盖电子所经过的空间就可达到目的,磁场方向与纸面垂直;若第二次在该空间只加匀强电场,场强方向与水平方向垂直,电子同样能打中M点,设电子质量为e,求匀强电场E
2019-04-19
高三物理
经电压U加速的电子(加速前电子静止),从电子枪口T射出,其初速度沿水平方向.若要求电子能击中斜下方的M点,且与水平方向夹角为A.第一次用磁感强度为B的匀强磁场覆盖电子所经过的空间就可达到目的,磁场方向与纸面垂直;若第二次在该空间只加匀强电场,场强方向与水平方向垂直,电子同样能打中M点,设电子质量为e,求匀强电场E
优质解答
电子加速过程:q*U=(1/2)*m*V^2,V=√(2qU/m)
设在磁场中的圆周运动的半径为R,则,电子水平位移为X=R*sinα,竖直位移为Y=R(1-cosα)
上面,qVB=mV^2/R,得:R=mV/(Bq)
电子在电场中做“类平抛运动”.
X=V*t=V*√(2Y/a)
(X/V)^2=2Y/a
(X/V)^2=2Y/(qE/m)
{(R*sinα)/(√(2qU/m))}^2=2*R(1-cosα)/(qE/m)
代入R解出:
E=(4BqU(1-cosα)0)/{(√(2qUm))*(sinα)^2}
电子加速过程:q*U=(1/2)*m*V^2,V=√(2qU/m)
设在磁场中的圆周运动的半径为R,则,电子水平位移为X=R*sinα,竖直位移为Y=R(1-cosα)
上面,qVB=mV^2/R,得:R=mV/(Bq)
电子在电场中做“类平抛运动”.
X=V*t=V*√(2Y/a)
(X/V)^2=2Y/a
(X/V)^2=2Y/(qE/m)
{(R*sinα)/(√(2qU/m))}^2=2*R(1-cosα)/(qE/m)
代入R解出:
E=(4BqU(1-cosα)0)/{(√(2qUm))*(sinα)^2}