本规范规定了FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管（以下简称器件）的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ20308-93
半导体分立器件FH1025型
NPN硅功率达林顿晶体管
详细规范
Detail specificationfortype FH1025NPN silicon power Darlington transistor1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
Detail specification for type FH1025NPNsiliconpowerDarlingtontransistor1.1主题内容
SJ20308--93
本规范规定了FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管（以下简称器件）的详细要求。每件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中B2-01D型及及下面规定（见图1）。0.5@区@z
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布1993-07-01实施
图1FH1025外形图
1.3最大额定值
Te-25℃
SJ20308-93
B2-01D
注1)Tc>25℃时，按1.67W/℃线性降额。1.4主要电特性（T=25℃）
最小值
最大值
le-10A
最大值
Vge(an）
Ic=10A
最大值
引出端识别：
1一基极
2一发射极
外壳一集电极
-55175
-55~175
le=10A
最大值
Vee=10V
引用文件
GB4587-84
GB7581—87
GJB33—85
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
SJ20308—93
Ic=10A
Ii———IB2——1A
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
(C/W）
Vee-10V
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对涂层有选择要求时，应在合同或订货单中予以规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛
（见GJB33的表2）
7.中间电参数测试
8.功率老化Www.vV99.net
9.最后测试：
GT和CCT级
Icron和hpE
按本规范表1的A2分组：
Alca0i初始值的100%或300μA，取较大者hm=初始值的士20%
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
T=162.5±12.5℃
Pt=≥125W
VcE—20V
4.4质量一致性检验
SJ20308—93
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定：4.5.1.脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1条的规定。4.5.2热阻
热阻测试应按GB4587的2.10条和下列规定。a：加工率时的Ic=2A；
b.Vce=10V;
c.基准温度测试点应为管壳：
d.基准点温度范围为25℃≤Tc≤75℃。其实际温度应记录：e.器件应安装散热器；
f.R的最大值应为0.6℃/W。
4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定。4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB33的规定进行。表1A组检验
检验和试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极-发射极
维持电压
集射极-基极截
止电流
GJB128
GB4587
基极-发射极开路
1c=100mA
Ves-1200V
极限值
最小值最大值
检验和试验
发射极-基极截
止电流
正向电流传输比
集电极-发射极饱
和电压
基极-发基极饱
和电压
二极管正向电压
A3分组
高温工作：
集电极-基极截
止电流
低温工作：
正向电流传输比
A4分组
开路输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
A5分组
GB4023
GB4587
SJ20308—93
续表1
集电极-发射极开路
VcE-5V
脉冲法
（见4.5.1)
脉冲法
（见4.5.1)
Ic=10A:
Ia—1A
脉冲法
（见4.5.1)
T-125±5℃
Vcn-1000V
TA=—55℃
Vce-5V
脉冲法
（见4.5.1)
VeE=10V
fi-1kHz
le-10A
I8——I-1A
Ic=10A
1R=-m=1A
IB=—Im-1A
Ic=20A
1mm—/821A
极限值
最大值
最小值
检验和试验
安全工作区（直流）
试验1
试验2
试验3
最后测试
检验和试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击
(温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
（仅对GT和GCT级）
开相内部目检
（设计核实）
键合强度
B6分组
高温寿命
(非工作状态）
最后测试：
GB4587
Te-25℃
t=1s,单次
SJ2030893
续表1
Ver=12.5V
Ie-20A
Vce-20V
Veg-200V
见表4步骤1和3
表2B组检验
低温—55
其余同试验条件F
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
T162.5±12.5℃
Pa≥125W
Vcg=-20V
见表4步骤2和4
TA-150℃
见表4步骤2和4
极限值
最小值最大值
每批一个器件，
0失数
20(C=0)
检验和试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
（玻璃应力）
引出端强度
乱。细检漏
b.粗检漏
综合温度/混度周
期试验
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变额振动
恒定加速度
最后测试：
C4分组
（仅对海用）
盐气(腐蚀)
外观及机械检验
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
见图1
SJ20308—93
表3C组检验
试验条件A
试验条件A
试验条件H
试验条件F
省略预处理
见表4步骤1和3
按总规范
按总规范
按总规范
见表4步骤1和3
T=162.5±12.5℃
Pu=125W.Te-100c
VeE-20V
见表4步骤2和4
GB4587Vc-10V
集电极-基极截
止电流
集电极-基极截
入=10
表4A、B组和C组最后测试
GB4587
VcB=1200V
Vc1200V
极限值
最小值
最大值
极限值
最小值
最大值
止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20308—93
续表4
GB4587
注：1）本测试超过A组极限值的器件不应接收5
交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定
说明事项
6.1合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层（见3.2.1)。号
6.2如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3直流安全工作区（见图2)。
极限值
最小值
最大值
初始值的士25%
T=25℃
100200
集电极-发射极电压Vc(V)
图2FH1025直流安全工作区
附加说明：
本规范由中国电子工业总公司提出SJ20308-93
本规范由八七七厂和中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：张滨、蔡仁明。计划项目代号：B01022。
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