本规范规定了２ＣＺ１１７型硅整流二极管（以下简称器件）的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033.47-94
半导体分立器件
2CZ117型硅整流二极管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specificatian for type 2Cz117silicon rectifier diode
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CZ117型硅整流二极管
详细规范
Semiconduetoriscretedevice
Detail specirication for type 2cz117silicon rectirier diode
1慈园
1.1主题内容
本规范规定了2CZ117型硅整流二极管【以下简称器件的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等极
SJ 50033.47-94
按GJB33<半导体分立器件总规范>1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军，特军和超特军三级，分别用学母GPGT和GCT表示。2引用文件
GB 402386半导体分立器件第，部分整流二极管GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GJB33—85平导体分立器件总规范GJB128--86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
冬项要求应按GIB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端涂层
引出端表置应镀锡。对引端涂层另有要求时，在合同或订货单中规定（见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
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3.2.2器件结构
SJ 50033.4794
在芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合，外形封装为玻璃钝化封装。3.2.3外形尺寸
外形尺寸应符合图「的规定。
负极标志
注1)L,为引线旁曲成直角后器件安装的最小轴向长度。图1外形图
3.3最大额定值和主要电待性
3.3.1 最人额定值
2CZ117B
2CZ117C
2CZ117D
2CZ117E
2CZ117F
【A】
Ta>25C时.按40mA/C的速率线性降额。注：1)
T.应为距曾体10m血处的引线温,度。2
Ta=25r
VR=VeWM
tp=10ms
55~150
—55~175
無气压
3.3.2主要电特性(T,=25)
IFM=15A
2C7117R
2CZ117C
2CZ117E
2CZ117F
3.4电测试要求
最大值
SJ 50033.47 -- 94
Va=VRwM
最大值
电测试应符合GB4023及本规范的规定。3.5标志
TA=ioot
最大值
标志应符合GJB33和本规范的规定，型号标志可不限于一行内，制造！可替略下到志
制造厂的识别；
检验批识别代码；
型号命名中的2C部分。
3.5.1极性
器件的负极应采用鲜明的色带标记，以示出器件的极性。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按 GTB 33 和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按 GIB 33 的规定。4.3筛选(仅对 GT和 GCT级）
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，筛选(见 GJR 33 表 2)
4. 恒定如速度
7.中间电参数测试
B.电老化
试试验
除低温为-55℃外，其余同试验条件F。不要求
不要求
VeMi JRE
VR- Vrwm
f= 50Hz
正弦半波
-rKAONKAca-
m法（0GR33）
，最后试
4.4质量致性检验
SJ 50033.4794
测试或试验
本期表1的分组：
2Fe,=如始值约100%或0.3μA,取较大者；4Vrmi= -0.1V。
质量一致件检验应按GJB33的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GIE33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验,应技GJB33和本范表2的规定进行。最后测试和变化量（4）的要求应接本规范表4相应步骤的规庭。
4.4.3C组检验
【纠检验应按G33积本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（4的要求应按本热范变4相成步的规密。
限5粒验和骏新法
检验剂试验大涨应按本规落相应的表和下列规定：A.5.斤稳态T作寿命
亦器件的反问范相规定的正弦半波值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均整流电滋，整流电流的正向导通角应不人于180°不小于150°。4.5:2脉冲测试
脉拍测试条件应按GJB128的3·3·2·1的规定。表 1 A 组检验
检验职试验
A1分组
字双及析械检均
丝分组
正肉电压
反向电流
是证工作：
成向电流：
低温工作
正向中压：
GJB128
GB4032
Tm =15A
p = 300μs
Vu=Vawi
TA= 100c
Ve - VRwn
TrM =15A
=300ms
极限值
最小值
最人值
检验或试验
A6分组
浪涌电流
最后侧试
检验或试验
BI 分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击
最后测试：
稳态工作寿命
最后测试
F6 分组
高温寿命（非工作状态）
聚后测试：
检验或检验
CI分组
外形尺寸
2分组
SJ 50033.4794
续表1
GR 4032
VR = VrwM
1M=100A
tp=L0ms
每隔ltin「次
浪涌,共 10 次。
按表4步骤1 和2
表2B组检验
极限值
最小值
除低湿为-55外，其余条件同试验条件F-1。
按表 4 步骤 1 和 2
Ve = VnwM
于-5UHz正弦半波
按表4步骤1、2和3
TA= 175C
按表 4步骤1、2和3
表3C组检验
沈图1
最大值
-TrKAONiKAca-
极限值
最小值
最大值
检验或检验
热神击
引出鞘强度
综合温度/混度
癌期试验
外观及机械检验
最后测试：
CS分组
试验期间测试
反向电流
C6 分组
态工作寿命
最后溯试：
检验或检验
正向电压
反向电流
反向电流变化
：2071
GB 4024
SJ 50033.47—94
试验条件 A
试验条件 A
F= 40N
试条件 E
F = 20N
省脊略预处理
孩表 4步骤1 和 2
试验条件 D
1 = 60g
Ve = Vrwme
Va = Vewm
f=501z
正弦辛波
按表4步臻1、2、和3
a = 10
表4A组、B组和 C组的电測试
GB4023
N-1-23
N-[+4-1
N-1·4·1
IFM = 1.5A
1,= 300μa
V = VRwMmwwW.vv99.Net
Vr = VrwM
注：1)本测试中IB1超过A粗极限值的器件不应接收，5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按 GJH 33的规定。
极限值
最小值
极限值
最小值
最大值
最大道
初始值的100%或
0.3μA,取较大者、
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1 预定用途
SJ50033.47-94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：。本规范的名称和编号；
h。等级(见1-3-1)：
e、数量；
d。需要时,其它要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定（见3·2·1)。如使用单位需要时，典型特待性曲线等可在合同或订货单中规定。附加说明：
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由国营八七三广起草。
本规范主要起草人：程勇、刘东才、金贵永。计划项目代号：B21027。
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