中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ50033/129-97
半导体分立器件3DD155型
低频大功率晶体管详细规范
Scmiconductor discrete devicesDetailspecificationfortype3DD155low-frequency and high-power transistor1997-06-17发布
1997-10-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DD155型低频大功率晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specificationfor type3DD155low-frequency and high-power transistor1范围
1.1主题内容
SJ50033/129-97
本规范规定了3DD155A～F型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33(半导体分立器件总规范》1.3的规定，提供的质量等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4587—94
GB7581-87
GJB33—85
双极型晶体管
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
5半导体分立器件试验方法
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2设计和结构
器件的设计和结构应按GJB33的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为可伐，引出端表面为锡层或镍层。3.2.2器件结构
器件为外延台面或三重扩散台面结构。中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997-10-01实施
3.2.3外形尺寸
SJ50033/129-97
外形尺寸应符合GB7581中的B2--01B型的要求，见图1。代号
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
3DD155A
3DDI55B
3DD155C
3DDI55D
3DD155E
3DD155F
1一基极
2一发射极
外壳一集电极
图1外形图
B2—01B
55~175
SJ50033/129-97
注：1)Tc>25℃时，按200mW/K的速率线性地降额。3.3.2主要电特性（TA=25℃）
极限值
Vee=5V
红：15~25
3DD155
：25~40
黄：40~55
绿：55~80
蓝：80~120
VeEant
最大值
最大值
注：1)FEl≤55时，其误差小于±20%，hEl>55时，其误差小于±10%。3.4电测试要求
电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GJB33及本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
Rt thi-e
Vee=10V
25最大值
筛选应按GJB33的表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表！极限值的器件应予剔除。选
（见GJB33的表2）
3.热冲击
（温度循环）
7.中间电参数试
8.功率老练
9.最后测试
试验条件：温度：-55~150℃，循环次数：20次；恒温各30min转换<3min
IcBo和hFEI
T,=162.5±12.5t
Pat≥20W
Ves=25V
按本规范表1的A2分组
4Icro/≤初始值的100%或100=A取较大者14hyEl≤初始值的20%
4.4质量一致性检验
SJ50033/129-97
质量一致性检验按GJB33的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检验
GB4587
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极一发射极
击穿电压
3DD155A
3DD155B
3DDI55C
3DD155D
3DDI55E
3DD155F
发射极一基极
击穿电压
集电极一基极
截止电流
集电极一发射极
截止电流
集电极一发射极
饱和电压
基极一发射极
饱和电压免费标准vv99.net
正向电流传输比
GJB128
本规范
附录A
发射般一基极开路；
Ie=ImA
集电极一基极开路；
发射极一基极开路；
Ves=VchO
发射极一基极开路；
Vce=0.5VcEO
le= 1A
脉冲法(见4.5.1)
脉冲法(见4.5.1)
Vee=SV
脉冲法(见4.5.1)
VBR)CEO
极限值
最小值
V(BR)E8O
最大值
检验或试验
A3分组
高温工作
集电极一基极
截止电流
低温工作
正向电流传输比
AS分组
安全工作区
(直流）
试验1
试验2
试验3
3DD155A
3DD155B
3DD155C
3DD155D
3DD155E
3DD155F
最后测试
检验或试验
BI分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
SJ50033/12997
续表1
GB4587
TA=125±5
发射极一基极开路
Vcn=0.7Vcro
TA=-55t
脉冲法(见4.5.1)
Te=25r
t=1s,单次
Vc=15V,Ic=2A
Vce=25V, Ie= 1.2A
Vee=50V,
Ie=320mA
Vce=100V.
le=83mA
Ic=38mA
Vee=200V,
le=22mA
Vee=250V,
Ie=14mA
Vce=300V,
Ic=10mA
见表4步骤1和3
表2B组检验
极限值
最小值
最大值
极限值
最小值
最大值
检验或试验
热冲击
(温度循环）
a）细检漏
b)粗检漏
最后测试
B3分组
稳态工作寿命
最后测试
B4 分组
（仅对GCT级）
开帽内部目检
（设计核实）
键合强度
B5分组
B6 分组
高温寿命
(非工作状态）
最后测试
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(皱璃应力）
GB4587
SI50033/129—97
续表2
温度：-55~150t；
循环次数20次
恒温各30min
转换t<3min
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
T,=162.5±12.5t
Vee=25V
Pt≥20W
1=340h
见表4步骤2和4
试验条件A
Vg=10V
25℃T≤75℃
TA=175
见表4步骤2和4
每批1
个器件
，0失效
20（c=0）
表3C组检验
GJB128
见图1
极限值
最小值
试验条件B0+5℃~100-sC
最大值
检验或试验
引出端强度
a）细检漏
b)粗检漏
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
(仅供海用）
盐气(侵蚀)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
集电极一基极
截止电流
集电极一基极
截止电流
SI50033/129-97
续表3
GJB128
试验条件A
受试端数：2
加力=20N
t= 10g
试验条件H
试验条件F
4个周期
见表4步骤1和3
按总规范
按总规范
按总规范
见表4步骤1和3
Ta=162.5±12.5c
Ve:=25V
P≥20W
1=1000h
见表4步骤2和4
表4A组、B组和C组最后测试
正向电流传输比
GB4587
发射极一基极开路
Vcn= Vco
发射极一基极开路
Vca= Veso
Vcn=5V
Ie= IA
脉冲法(见4.5.1)
入=10
最小值
最大值
正向电流传输比
SJ50033/12997
续表4
GB4587
Vee=5V
脉冲法(见4.5.1)
注：1）本测试超过A组极限值的器件不应接收。交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
说明事项
I4hperl
6.1预定用途
符合本规范的器件提供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容：a）本规范的名称和编号；
b）等级（见1.3.1)；
e）数量；
极限值
最小值最大值
初始值的25%
d）需要时，其他要求。
6.3.对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。6.4如需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.5直流安全工作区，见图2。
SJ50033/129-97
Te=25t
3DDI55A
3DD155B
3DD155C
3DD155D
3DD155E
3DDI55F
100200300
集电极-发射极电压Ver(V）
150250
3DD155型直流安全工作区
A1目的
SJ50033/129-97
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件）
本测试的目的是为了在规定条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。2测试电路
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路图测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流所压大于V(BR)CEo的最低极限，晶体管为合格。加的电
本测试方法用于表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
规定条件
a.环境温度Ta；
b.测试电流Ico
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